化学位移产生原因是什么？化学位移的影响因素有哪些？ 热讯

化学位移产生原因是什么?

核周围电子产生的感应磁场对外加磁场的抵消作用称为屏蔽效应。核周围的电子屏蔽效应是化学位移产生的主要原因。通常氢核周围的电子云密度越大，屏蔽效应也越大，从而需要在更高的磁场强度中才能发生核磁共振和出现吸收峰。

化学位移的影响因素有哪些?

1. 电负性：电负性大的原子(或基团)吸电子能力强，降低了氢核外围的电子云密度，屏蔽效应也就随之降低，其共振吸收峰移向低场，化学位移会变大;反之，给电子基团可增加氢核外围的电子云密度，共振吸收峰移向高场，化学位移会变小。此外，电负性对1H化学位移的影响是通过化学键起作用的，它产生的屏蔽效应属于局部屏蔽效应。

2. 各向异性效应：当分子中的某些基团的电子云排布不呈球形对称时，它对邻近的1H核产生一个各向异性的磁场，从而使某些空间位置上的核受屏蔽，而另一些空间位置上的核去屏蔽，这一现象称为各向异性效应(anisotropic effect)。各向异性效应是由于成键电子的电子云分布不均匀导致在外磁场中所产生的感应磁场的不均匀所引起的，如苯环上质子的化学位移移向低场，δ在7 左右。许多分子，如乙烯、乙炔、醛、酮、酯、羧基、肟等都会产生各向异性效应，碳碳单键和碳氢单键亦有各向异性效应。各向异性效应是远程屏蔽效应。

3. 氢键：氢键对羟基质子化学位移的影响与氢键的强弱及氢键的电子给予体的性质有关，在大多数情况下，氢键产生去屏蔽效应，使1H的δ值移向低场。

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